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FDMS86200  与  BSC190N15NS3 G  区别

型号 FDMS86200 BSC190N15NS3 G
唯样编号 A-FDMS86200 A-BSC190N15NS3 G
制造商 ON Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 2.5W(Ta),104W(Tc) -
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 18 毫欧 @ 9.6A,10V 19mΩ@50A,10V
上升时间 - 53ns
Qg-栅极电荷 - 31nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
正向跨导 - 最小值 - 29S
封装/外壳 8-PowerTDFN TDSON-8-1
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 9.6A(Ta),35A(Tc) 50A
配置 - Single
长度 - 5.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 6V,10V -
下降时间 - 6ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2715pF @ 75V -
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 150V 150V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta),104W(Tc) 125W
典型关闭延迟时间 - 25ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 PowerTrench® OptiMOS3
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 75V -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2715pF @ 75V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 46nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 46nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDMS86200 ON Semiconductor 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta),104W(Tc) 18m Ohms@9.6A,10V -55°C~150°C(TJ) Power N-Channel 150V 9.6A 9.6A(Ta),35A(Tc) 18 毫欧 @ 9.6A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
BSC190N15NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC190N15NS3 G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

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BSC190N15NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC190N15NS3GATMA1_150V 50A 19mΩ@50A,10V ±20V 125W -55°C~150°C N-Channel TDSON-8-1

暂无价格 0 对比

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